Линейки лазерных диодов производятся на основе InGaAlAs гетероструктур, полученных методом MOCVD. Данная технология позволяет очень точно контролировать толщину выращиваемых слоев и соответственно воспроизводимость параметров изготавливаемых излучателей. Применение гетероструктур с квантовыми ямами позволяет снизить плотность порогового тока и увеличить выходную оптическую мощность. Лазеры напаиваются на теплоотвод эпитаксиальными слоями вниз, улучшая отвод тепла и обеспечивая более высокую выходную оптическую мощность
Линейки лазерных диодов поставляются на открытом теплоотводе, обеспечивая доступ непосредственно к лазерному кристаллу. Размер излучающей площадки лазерной линейки занимает более 90 % ширины теплоотвода, что позволяет использовать несколько лазерных линеек одновременно для накачки твердотельных лазеров.
